随着微电子产业的发展，集成，设备尺寸，使许多传统的微电子材料和技术面临巨大的挑战，但原子层沉积(ALD)技术作为一种优良的涂层技术，由于其高膜纯度、均匀性和保护性，也能非常准确地控制膜的厚度和成分，仍受到广泛关注，原子层沉积设备广泛应用于半导体、光学、光电子、太阳能等领域。

原子层沉积设备ALD技术的主要优势。

前驱体是一种饱和化学吸附剂，可以产生大面积均匀的薄膜。

作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层，可生成优良的三维保形化学计量膜。

可以很容易地进行掺杂和界面修正。

多组分纳米片和混合氧化物可以沉积。

低温(室温至400℃)可进行薄膜生长。

固有的沉积均匀性，易于缩放，可按比例直接放大。

薄膜的厚度可以简单准确地控制反应周期数，从而形成薄膜，达到原子层厚度的精度。

对灰尘相对不敏感，薄膜可以在灰尘颗粒下生长。

可广泛应用于各种形状的基底。

反应物流量的均匀性不需要控制。

一个ALD沉淀周期可分为四个步骤：

(1)化学吸附或反应发生在反应前驱体和基片表面。

(2)利用惰性气体将多余的前驱体和副产物从反应腔中去除。

(3)第二反应前体与基片表面的前体发生化学反应，产生薄膜。

(4)反应完全后，用惰性气体将多余的前驱体和副产物从腔体中去除。

前驱体的特点：

(1)挥发性好(易液化)。

(2)反应性高。

(3)化学稳定性好。

(4)不会腐蚀薄膜或基片，反应产物呈惰性。

(5)液体或气体较好。

(6)材料无毒，防止环境污染。

以上就是小编今日为大家介绍的原子层沉积设备的原子层沉积(ALD)技术，感谢大家耐心的阅读！