原子层沉积设备的应用

由于沉积参数的高度可控(厚度、成分和结构)，原子层沉积技术。

原子层沉积(Atomiclayerpition，ALD)初被称为原子层延伸(Atomiclayerpitaxy，ALE)，也被称为原子层化学气相沉积。沉积物包括：氧化物、氮化物、氟化物、金属、碳化物、复合结构、硫化物、纳米薄层等。

半导体领域：

晶体管格栅极电介质层（高k材料）、光电元件涂层、晶体管扩散基层和互联基层（防止掺杂剂迁移）、反湿涂层和膜电致发光元件、集成电路互联种子层、DRAM和MRAM介质层、嵌入式电容器介质层、电磁记录头涂层、金属绝缘金属（MIM）电容器涂层。

纳米技术领域：

空心纳米管、隧道势垒层、光电池性能、纳米孔尺寸控制、高宽比纳米图形、微机电系统反静阻涂层、疏水涂层种子层、纳米晶体、Znse涂层、纳米结构、空心纳米碗、储硅量子点涂层、纳米颗粒涂层、纳米孔涂层、纳米线涂层。

上述领域并不意味着原子层沉积技术的所有可能应用领域。随着科学技术的发展，它将在不久的将来发现越来越多的应用。根据该技术的反应原理，可以沉积各种材料。沉积材料包括金属、氧化物、碳（氮、硫、硅）化学物质、各种半导体材料和超导材料。