原子层沉积设备介绍
- 2022-05-11-
原子层沉积设备介绍
原子层沉积设备的技术是将至少两个气相前驱物种连续引入加热反应器衬底,自动终止化学吸附过程,直至表面饱和。适当的工艺温度阻碍了表面分子的物理吸附。基本的原子层沉积循环包括脉冲A、清洗A、脉冲B和清洗B四个步骤。沉积循环重复,直到获得所需的薄膜厚度,是制作纳米结构形成纳米设备的优良工具。
原子层沉积设备是以单原子膜的形式逐层涂覆材料的一种方法,是制备薄膜材料的重要方法之一。其特点是自限性,这也决定了原子层沉积技术具有厚度高、可控性好、均匀性好、保形性好等优点,特别擅长高深宽比图形填充。该技术已成为制备各种功能膜的重要手段。突破了前驱物体运输系统控制技术、反应室热场流场控制技术、等离子体生产控制技术、脉冲射频快速调频匹配技术、高效无损原位清洗技术、软件控制技术等关键技术和知识产权的核心技术优势。开发了两种沉积设备,即等离子体增强原子层沉积(PEALD)、可沉积Oxide、HFO2/Aletaletal、PE-SiN)、PE-SiN等。原子层沉积设备的涉及的领域包括:半导体领域:晶体管格栅极电介质层(高k材料)、光电元件涂层、晶体管扩散基层和互联基层(防止掺杂剂迁移)、有机发光显示反湿涂层和膜电致发光元件等。纳米技术领域:空心纳米管、隧道势垒层、光电电池性能、纳米孔尺寸控制、纳米催化、高宽比纳米图形、微机电系统(MEMS)反静阻涂层等。
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