原子层沉积技术（Atomic Layer Deposition）是一种原子尺度的薄膜制备技术。可以沉积均匀一致，厚度可控、成分可调的超薄薄膜。随着纳米技术和半导体微电子技术的发展，器件和材料的尺寸要求不断地降低，同时器件结构中的宽深比不断增加，要求所使用材料的厚度降低至十几纳米到几个纳米数量级。原子层沉积技术逐渐成为了相关制造领域不可替代的技术。其优势决定了具有巨大的发展潜力和更加广阔的应用空间。

1.脉冲一种前驱体暴露于基片表面，同时在基片表面对一种前驱体进行化学吸附

2.惰性载气吹走剩余的没有反应的前驱体

3.脉冲第二种前驱体在表面进行化学反应，得到需要的薄膜材料

4.惰性载气吹走剩余的前驱体与反应副产物

使用者可通过设定循环次数或时间，实现原子级尺度厚度可控的薄膜沉积

技术优势:

相对于传统的沉积工艺，ALD技术具有以下明显的优势：

• 前驱体是饱和化学吸附，不需要控制反应物流量的均一性
• 沉积参数的高度可控，可实现生成大面积均匀性的薄膜
• 通过控制反应周期数，可简单精确地以原子层厚度精度，控制薄膜沉积的厚度
• 可广泛适用于各种形状的基底
• 优异的台阶覆盖性，可生成极好的三维保形性化学计量薄膜，
• 优异的均匀性和一致性，可生成密集无针孔状的薄膜
• 可沉积宽深比达2000:1的结构，对纳米孔材料进行沉积
• 可容易进行掺杂和界面修正
• 可以沉积多组份纳米薄膜和混合氧化物
• 薄膜生长可在低温（室温到400℃）下进行
• 固有的沉积均匀性和小的源尺寸，易于缩放，可直接按比例放大
• 对环境要求包括灰尘不敏感
• 使用与维护成本低