反应离子蚀刻机的技术指标：

       在射频电源的驱动下，反应离子蚀刻机在上下电极之间形成电压差，产生光放电，通过电离产生等离子体游离基和蚀刻材料，产生气流（真空系统）带走的挥发性化合物。

反应离子蚀刻机设备：

       典型的（平行板）RIE系统包括位于房间底部的圆柱形真空室。晶片板与腔室其他部分电气隔离。气体通过腔室顶部的小入口进入，真空泵系统通过底部离开。使用的气体类型和数量取决于蚀刻过程；例如，六氟化硫通常用于蚀刻硅。通过调节气流和/或排气孔，气压通常保持在几毫托和几百毫托之间。

       还有其他类型的RIE系统，包括电感耦合等离子体(ICP)RIE。在这个系统中，等离子体是由RF电源的磁场产生的。虽然蚀刻轮廓倾向于更多的向同性，但等离子体密度非常高。

       平行板和电感耦合等离子体RIE的组合是可能的。在该系统中，ICP被用作提高蚀刻率的高密度离子源，并将单独的RF偏向电场，以实现更多的异性蚀刻轮廓。

       以上是小编今日为大家介绍的反应离子蚀刻机的全部内容，感谢您耐心的阅读！