分子束外延是一种用于物理，化学，材料科学等领域的分析仪器。

  在半导体工艺中，分子束外延技术是近十几年发展起来的一种新型技术，它是在超高真空条件下，与真空蒸镀法相似，由组成晶体的各成分与掺杂的原子(分子)以一定的热移动速度进行，一种制备单晶薄膜的方法，是按一定比例在喷射炉内射出基体以实现晶体外延生长的一种方法。

分子束外延原理和特性。

  将结晶材料注入到喷射炉内，使其在超真空条件下得到所需的结晶材料，从而使分子束在结晶材料上形成，并由炉中喷出后，在保持数百度温度的单晶衬底上沉积。如果设置了多个喷射炉，就能制取多元半导体混晶，并能在同一时间进行掺杂。由于分子束流的强度、通过四极质谱计监测相对照，且将测得的信函反馈到各个喷射炉，可以准确控制晶体的生长。把高能电子衍射仪和其它分析仪器装在一起，可以研究沉积体系中的结晶生长过程。

  除了用双质结激光。三维介质集成光波导来获得分子束外延，而且还能用这种方法在同一个基底上重复生长二种光波导。

与其它液相、气相外延生长法相比，分子束外延生长法的特征如下：

1.能使大面积表面和界面具有原子级平滑度的外延生长膜获得。

2.在同一体系下，可以在现场观察单晶薄膜的生长过程，从而可以研究其生长机理。由于耗用时间长、大批量生产差和对真空条件有较高要求而生长外延的缺点。

3.分子束在超高真空中进行外延生长，其残留气体对膜有较小的污染，并能使表面非常干净。

4.生长温度很低，例如，硅只需要500℃，砷化镓只需要500-600℃。

5.生长率低(每小时1-10微米)、超薄(几微米)、平滑的薄膜可以生长，并能精确控制膜层厚度、成分和杂质浓度。